无锡新洁能推出85~150V SuperTrench MOSFET系列产品，采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽（Shield Gate Deep Trench）技术，具有极低的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg），在大功率电动车控制器、电动工具电源等行业，具有较好的温度特性和可靠性表现。

   相比市场上普通沟槽型MOSFET，新洁能Super Trench MOSFET导通电阻Rdson降低了约37%，品质因子FOM(Rdson*Qg)降低了约45%。在与国外知名公司产品的对比中（表1、2），新洁能Super Trench MOSFET在导通电阻Rdson、品质因子FOM、UIS等关键参数上，具有较强的竞争力。

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